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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 325 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN360N10T | IXYS |
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GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN360N10T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFN360N15T2 | IXYS |
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GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN360N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFN36N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN36N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN36N110P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN36N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN36N60 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN38N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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