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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.23 | 其他特性： | AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 38 A | 最大漏极电流 (ID)： | 38 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1000 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Nickel (Ni) |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN38N100Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFN38N100Q2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr |
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| IXFN38N100Q2_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN38N80Q2 | IXYS |
获取价格 |
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R |
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| IXFN38N80Q2 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN39N90 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die |
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| IXFN39N90 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN39N90V | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN400N15X3 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN400N15X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘 |
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