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IXFN40N90P

更新时间： 2024-11-21 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFN40N90P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A	最大漏极电流 (ID)：	33 A
最大漏源导通电阻：	0.21 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	695 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN40N90P 数据手册

Polar^TMHiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

= 900V

= 33A

IXFN40N90P

R_DS(on)< 230mΩ

t_rr

< 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

900

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

E_AS

2.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

695

T_J

-55 to +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

International Standard Package

Low Intrinsic Gate Resistance

miniBLOC with Aluminum Nitride

-55 to +150

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

Isolation

Low R_DS(on)and Q_G

Avalanche Rated

Low Package Inductance

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Fast Intrinsic Rectifier

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

900

Applications

3.5

6.5

±200 nA

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC Motor Drives

I_DSS

50 μA

3.5 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 20A, Note 1

230 mΩ

Robotics and Servo Controls

DS100062A(10/11)

12 3 4 5

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