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IXFN36N110P

更新时间： 2024-11-05 11:14:03

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描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN36N110P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1100V

I_D25= 36A

IXFN36N110P

R_DS(on)≤ 240mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

≤ 300ns

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1100

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

110

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

D = Drain

I_AR

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

E_AS

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

1000

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

V_ISOL

50/60Hz, RMS

t = 1min

t = 1s

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

• Fast recovery diode

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/ 11.5

Nm/lb.in.

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

1100

Applications:

3.5

6.5

^zHigh Voltage Switched-mode and

resonant-mode power supplies

^zHigh Voltage Pulse Power Applications

^zHigh Voltage Discharge circuits in

Lasers Pulsers, Spark Igniters, RF

Generators

±300

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

240

mΩ

^zHigh Voltage DC-DC converters

^zHigh Voltage DC-AC inverters

DS99902A (04/08)

12 3 4

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IXFN36N60	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
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IXFN38N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN38N100Q2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFN38N100Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
IXFN38N100Q2_08	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN38N80Q2	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Q Low intrinsic R
IXFN38N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN39N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die

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