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IXFN44N100Q3

更新时间： 2024-02-12 13:28:08

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5页	129K
描述
HiperFET Power MOSFET Q3-Class

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IXFN44N100Q3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	7.64
其他特性：	UL RECOGNIZED	雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	38 A
最大漏极电流 (ID)：	38 A	最大漏源导通电阻：	0.22 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	960 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN44N100Q3 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFET

Q3-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 38A

IXFN44N100Q3

R_DS(on)≤ 220mΩ

t_rr

≤ 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

D = Drain

110

I_A

T_C= 25°C

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

960

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

International Standard Package

Low Intrinsic Gate Resistance

miniBLOC with Aluminum Nitride

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA,

t = 1s

Isolation

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

6.5

±200 nA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

I_DSS

50 μA

3 mA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 22A, Note 1

220 mΩ

DS100306(03/11)

12 3 4 5

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