Datasheet > IXFN48N50Q

IXFN48N50Q

更新时间： 2024-11-04 22:15:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
2页	83K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN48N50Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

V_DSSI_D25

R_DS(on)

IXFN 44N50Q

IXFN 48N50Q

500 V 44 A 120 mW

500 V 48 A 100 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

44N50

48N50

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

44N50

48N50

176

192

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_C= 25°C

Features

E_AR

E_AS

2.5

• IXYS advanced low Q_gprocess

• Low gate charge and capacitances

- easier to drive

- faster switching

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

P_D

T_C= 25°C

500

T_J

-55 to +150

150

°C

• Low R_{DS (on)}

• Fastintrinsicdiode

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC withAluminiumnitride

isolationforlowthermalresistance

• Low terminal inductance (<10 nH) and

stray capacitance to heatsink (<35pf)

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

T_JM

T_stg

V_ISOL

-55 to +150

50/60 Hz, RMS t = 1 min

2500

3000

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 s

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13

Nm/lb.in.

Weight

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

min.

typ.

max.

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

500

2.0

V_GS(th)

4.0

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

44N50

48N50

120 mW

100 mW

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98715(03/30/00)

1 - 2

中文翻译

下载PDF

IXFN48N50Q 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN80N50Q3	IXYS	类似代替	HiperFET Power MOSFET Q3-Class
IXFN48N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN80N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

与IXFN48N50Q相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN48N50QD2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXFN48N50U2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN48N50U3	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFN48N55	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN48N60P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFN48N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN50N120SIC	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN50N120SK	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFN50N120SK	LITTELFUSE	获取价格	工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300
IXFN50N25	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs

与IXFN48N50Q相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN48N50Q

IXFN48N50Q 数据手册

IXFN48N50Q 替代型号

与IXFN48N50Q相关器件

与IXFN48N50Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFN48N50Q

IXFN48N50Q 数据手册

IXFN48N50Q 替代型号

与IXFN48N50Q相关器件

与IXFN48N50Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？