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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 664K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.76 |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 50 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 300 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN50N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN50N80Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class | |
IXFN50N80Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET | |
IXFN520N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXFN52N100X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXFN52N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN52N90P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN55N120SK | LITTELFUSE |
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工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装,提供300 | |
IXFN55N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |