IXFN50N50

更新时间： 2024-11-17 21:54:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	123K
描述
HiPerFET Power MOSFET

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IXFN50N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A
最大漏极电流 (ID)：	50 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN50N50 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

t_rr

IXFN 55N50 500V 55A

IXFN 50N50 500V 50A 100mΩ 250ns

IXFK 55N50 500V 55A 80mΩ 250ns

80mΩ 250ns

Power MOSFET

Single Die MOSFET

IXFK 50N50 500V 50A 100mΩ 250ns

Preliminary data sheet

TO-264AA(IXFK)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

IXFK

IXFN

55N50

50N50

55N50

50N50

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

500

T^J_J= 25°C to 150°C

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

±20

±30

V_GSM

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C

220

200

220

50 A

200 A

50 A

T^C=25°C,

E153432

T_C^C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

560

600

G = Gate

= Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300 N/A

2500

°C

Features

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

N/A

• International standard packages

• Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

3000

M_d

Mounting torque

0.9/6

N/A

1.5/13 Nm/lb.in.

Terminal connection torque

• Low R

HDMOS^TMprocess

Weight

• Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

Min. Typ. Max.

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±20V; V_DS= 0V

500

2.5

V_GS(th)

I_GSS

4.5

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

±200

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

I_DSS

= V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

µA

V_G^DS_S= 0^DV^SS

Advantages

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

55N50

50N50

mΩ

N^Go^Ste 1

100

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

97502F (04/02)

12 3 4

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IXFN48N50	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN50N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN520N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
IXFN520N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFN52N100X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN52N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
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IXFN55N120SK	LITTELFUSE	获取价格	工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300
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