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IXFN520N075T2

更新时间： 2024-09-16 14:56:55

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	203K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXFN520N075T2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
Base Number Matches：	1

IXFN520N075T2 数据手册

TrenchT2^TM

V_DSS= 75V

I_D25= 480A

R_DS(on) 1.9m

IXFN520N075T2

GigaMOS^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC, SOT-227

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

D = Drain

I_D25

T_C= 25C (Chip Capability)

480

200

I_L(RMS)

I_DM

External Lead Current Limit

G = Gate

S = Source

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

1500

I_A

T_C= 25C

200

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

( Gate Return ) Terminal.

E_AS

P_D

T_C= 25C

940

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

C

Features

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL 1mA

t = 1 minute

t = 1 second

2500

3000

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

^175°C Operating Temperature

^Isolation Voltage 2500 V~

^High Current Handling Capability

^Fast Intrinsic Diode

Weight

^Avalanche Rated



Low R_DS(on)

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



2.5

5.0

200 nA

Applications

I_DSS

25 A

2 mA

^DC-DC Converters and Off-Line UPS

^Primary-Side Switch

^High Speed Power Switching

Applications

T_J= 150C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 100A, Note 1

1.5

1.9 m

DS100193B(4/18)

12 3 4 5 6 7

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