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IXFN80N50Q2

更新时间： 2024-11-18 11:14:03

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HiPerFET Power MOSFET Q2-Class

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IXFN80N50Q2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	5000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	320 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN80N50Q2 数据手册

Preliminary Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFET

Q2-Class

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, Low Q_g, Low

Intrinsic R_g, High dV/dt, Low t_rr

IXFN80N50Q2

V_DSS= 500V

I_D25= 80A

R_DS(on)≤ 60mΩ

t_rr

≤ 250ns

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

320

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AS

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

890

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

Double metal process for low

gate resistance

^zminiBLOC, with Aluminium nitride

isolation

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60Hz, RMS

t = 1min

t = 1s

2500

3000

I_ISOL≤ 1mA

^zLow package inductance

^zFast intrinsic Rectifier

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/ 11.5

Nm/lb.in.

Applications

Weight

DC-DC converters

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

Pulse generators

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

500

Advantages

Easy to mount

Space savings

3.0

5.5

High power density

±200

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

100

μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

mΩ

DS99031B(05/08)

12 3 4

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IXFN80N60P3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 66A I(D), 600V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IXFN82N60Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
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