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IXFP110N15T2

更新时间： 2024-11-21 14:56:35

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	339K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

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IXFP110N15T2 数据手册

Preliminary Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET

Power MOSFET

V_DSS= 150V

I_D25= 110A

R_DS(on) 13m

IXFA110N15T2

IXFP110N15T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263

(IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220

(IXFP)

T_J= 25C to 175C

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

150

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 20

 30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

110

300

D (Tab)

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source Tab = Drain

= Drain

I_A

T_C= 25C

E_AS

800

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS,T_J 175C

T_C= 25C

V/ns

480

Features

T_J

-55 ... +175

175



C

^International standard packages

^175°C Operating Temperature

^High current handling capability

^Fast intrinsic Rectifier

T_JM

T_stg

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

^Dynamic dV/dt rated



F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Low R_DS(on)

Nm/lb.in

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages



Easy to mount

Space savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ.



High power density

(T_J= 25C unless otherwise specified)

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

2.5

Applications

4.5

            200 nA

A

^DC-DC converters

^Battery chargers

^Switched-mode and resonant-mode

power supplies

I_DSS

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

150  A

13 m

^DC choppers

^AC motor drives

R_DS(on)

^Uninterruptible power supplies

^High speed power switching

applications

DS100093A(11/18)

12 3 4 5 6 7

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