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IXFP12N80P

更新时间： 2024-11-02 18:55:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

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IXFP12N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	1.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFP12N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFA 12N80P

IXFH 12N80P

IXFP 12N80P

V_DSS= 800 V

I_D2512 A

R_DS(on)≤ 1.1 Ω

t_rr

≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

TO-263 (IXFA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Tranisent

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

TO-247 (IXFH)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.2

(TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

TO-220 (IXFP)

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

250

°C

M_d

Mounting torque

(TO-220, TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Weight

TO-247

T0-220 & TO-263

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

800

3.0

5.0

100

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

μA

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25, Note 1

1.1

High power density

DS99476E(10/05)

12 3 4 5

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