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IXFP12N80P

更新时间: 2024-11-21 18:55:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 123K
描述
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 1.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3

IXFP12N80P 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:PLASTIC PACKAGE-3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.76
雪崩能效等级(Eas):1200 mJ外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:800 V
最大漏极电流 (ID):12 A最大漏源导通电阻:1.1 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):36 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IXFP12N80P 数据手册

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PolarHVTM HiPerFET  
Power MOSFET  
IXFA 12N80P  
IXFH 12N80P  
IXFP 12N80P  
VDSS = 800 V  
ID25 12 A  
=
RDS(on) 1.1 Ω  
trr  
250 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
TO-263 (IXFA)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
800  
800  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
G
S
VGS  
Continuous  
Tranisent  
20  
30  
V
V
(TAB)  
VGSM  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
12  
36  
A
A
TO-247 (IXFH)  
TC = 25°C, pulse width limited by TJM  
IAR  
TC = 25°C  
12  
A
EAR  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
30  
mJ  
J
1.2  
(TAB)  
dv/dt  
PD  
IS IDM, di/dt 100 A/μs, VDD VDSS  
TJ 150°C, RG = 4 Ω  
,
10  
V/ns  
TO-220 (IXFP)  
TC = 25°C  
360  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
(TAB)  
G
D
S
TL  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
250  
°C  
°C  
Md  
Mounting torque  
(TO-220, TO-247)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Weight  
TO-247  
T0-220 & TO-263  
6
4
g
g
Features  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z International standard packages  
z Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
z Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 μA  
VDS = VGS, ID = 4 mA  
VGS = 30 VDC, VDS = 0  
800  
V
V
3.0  
5.0  
100  
nA  
Advantages  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
μA  
μA  
TJ = 125°C  
z
Easy to mount  
Space savings  
z
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25 , Note 1  
1.1  
Ω
z
High power density  
DS99476E(10/05)  
© 2005 IXYS All rights reserved  

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