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IXFP14N60P

更新时间： 2024-03-04 09:49:38

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFP14N60P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-220, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.71	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	900 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	14 A	最大漏极电流 (ID)：	14 A
最大漏源导通电阻：	0.55 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	42 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFP14N60P 数据手册

Polar ^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 600V

I_D25= 14A

R_DS(on) 550m

IXFA14N60P

IXFP14N60P

IXFH14N60P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXFP)

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

TO-247 (IXFH)

I_A

T_C= 25C

E_AS

900

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

300

D (Tab)

T_J

-55 ... +150

150

C

G = Gate

S = Source

= Drain

T_JM

T_stg

Tab = Drain

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Features

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220 & TO-247)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

600



3.0

5.5

Applications

100 nA

A



I_DSS

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

T_J= 125C

500 A



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

550 m



Robotics and Servo Controls

DS99389G(6/18)

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFP14N85X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP14N85XM	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP16N50P	IXYS	获取价格	PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFP16N50P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP16N50P3	LITTELFUSE	获取价格	PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP16N60P3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFP180N10T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP180N10T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFP18N60X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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