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IXFP130N10T2 PDF预览

IXFP130N10T2

更新时间： 2024-02-16 16:35:56
品牌 Logo 应用领域
IXYS /
页数 文件大小 规格书
6页 181K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

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IXFP130N10T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：PLASTIC PACKAGE-3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：8.64其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：130 A最大漏极电流 (ID)：130 A
最大漏源导通电阻：0.0091 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：360 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

IXFP130N10T2 数据手册

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Advance Technical Information  
TrenchT2TM HiperFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 100V  
ID25 = 130A  
RDS(on) ≤ 9.1mΩ  
IXFA130N10T2  
IXFP130N10T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXFA)  
Fast Intrnsic Rectifier  
G
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D (Tab)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
100  
100  
V
V
TO-220AB (IXFP)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
ID25  
ILRMS  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
130  
120  
A
A
G
D
D (Tab)  
= Drain  
S
IDM  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
300  
A
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
65  
A
G = Gate  
S = Source  
D
EAS  
800  
mJ  
Tab = Drain  
dV/dt  
PD  
IS ≤ IDM,, VDD ≤ VDSS,TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
20  
V/ns  
W
360  
Features  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Fast Intrinsic Rectifier  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Dynamic dV/dt Rated  
z
Low RDS(on)  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 1mA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
100  
2.0  
V
V
Applications  
4.5  
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
±200 nA  
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
IDSS  
10 μA  
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1, 2  
500 μA  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
RDS(on)  
9.1 mΩ  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
DS100111(10/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXFP130N10T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTP220N075T IXYS

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 130A I(D), 100V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon,
IXTP130N10T IXYS

类似代替

 TrenchMVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFP130N10T IXYS

类似代替

 TrenchMV Power MOSFET HiperFET

与IXFP130N10T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXFP130N15X3 LITTELFUSE

获取价格

 		超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFP14N60P IXYS

获取价格

 		PolarHV HiperFET Power MOSFET
IXFP14N60P LITTELFUSE

获取价格

 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFP14N60P3 LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP14N85X LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP14N85XM LITTELFUSE

获取价格

 		采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXFP16N50P IXYS

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 		功能与特色: 优点: 应用:
IXFP16N50P3 LITTELFUSE

获取价格

 		PolarP3? HiPerFET?产品系列是针对300V, 500V至600V产品系列的
IXFP16N60P3 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,

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