Datasheet > IXFN94N50P2

IXFN94N50P2

更新时间： 2024-09-15 19:46:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	180K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFN94N50P2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	8.34
Base Number Matches：	1

IXFN94N50P2 数据手册

Advance Technical Information

PolarP2^TMHiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 68A

R_DS(on) 55m

IXFN94N50P2

t_rr

 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

miniBLOC

E153432

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25C to 150C

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

500

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

 30

 40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

240

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_A

E_AS

T_C= 25C

3.5

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

P_D

T_C= 25C

780

dv/dt

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

V/ns

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features

^International Standard Package

^miniBLOC, with Aluminium Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL1mA,

t = 1s

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in

^Dynamic dv/dt Rating

^Avalanche Rated

Weight

^Fast Intrinsic Diode

^Low Q_G

^Low R_DS(on)

^Low Drain-to-Tab Capacitance

^Low Package Inductance

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.



Easy to Mount

Space Savings



BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

500

3.0

5.0

Applications

200 nA

10 A

^DC-DC Converters

^Battery Chargers

I_DSS

^Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 125C

^Uninterrupted Power Supplies

^AC Motor Drives

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

55 m

^High Speed Power Switching

Applications

DS100555(8/13)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFN94N50P2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFP05N100M	IXYS	获取价格	High Voltage HiperFET
IXFP05N100M	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET HiperFET
IXFP102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFP10N60P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP10N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP10N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFP10N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFP110N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP110N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能