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IXFP102N15T

更新时间： 2024-11-19 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅
页数	文件大小	规格书
7页	234K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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IXFP102N15T 数据手册

Trench Gate Power

MOSFET HiperFET^TM

V_DSS= 150V

I_D25= 102A

R_DS(on)≤ 18mΩ

IXFA102N15T

IXFH102N15T

IXFP102N15T

t_rr

≤ 120ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

(TAB)

TO-220 (IXFP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C R_GS= 1MΩ

150

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

102

300

TO-247 (IXFH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

455

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Mounting Torque

Mounting Force

(TO-220 & TO-247)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

F_C^d

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

150

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

5.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 200 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

T_J= 150°C

750 μA

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

18 mΩ

DS100045A(04/09)

12 3 4 5 6 7

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