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IXFP102N15T

更新时间： 2024-09-15 12:20:15

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IXYS		栅
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Trench Gate Power MOSFET HiperFET

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IXFP102N15T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.54	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	750 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	102 A	最大漏极电流 (ID)：	102 A
最大漏源导通电阻：	0.018 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	455 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFP102N15T 数据手册

Trench Gate Power

MOSFET HiperFET^TM

V_DSS= 150V

I_D25= 102A

R_DS(on)≤ 18mΩ

IXFA102N15T

IXFH102N15T

IXFP102N15T

t_rr

≤ 120ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXFA)

(TAB)

TO-220 (IXFP)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C R_GS= 1MΩ

150

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

I_D25

I_LRMS

I_DM

T_C= 25°C

Lead Current Limit, RMS

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

102

300

TO-247 (IXFH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

(TAB)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

455

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

Mounting Torque

Mounting Force

(TO-220 & TO-247)

(TO-263)

1.13 / 10

10..65 / 2.2..14.6

Nmlb.in.

N/lb.

F_C^d

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

150

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

5.0

^zSwitched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

± 200 nA

μA

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

I_DSS

T_J= 150°C

750 μA

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

18 mΩ

DS100045A(04/09)

12 3 4 5 6

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IXFP10N60P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFP10N60P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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IXFP110N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFP110N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFP12N50P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiperFET
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