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IXFN82N60Q3

更新时间： 2024-11-06 14:56:15

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	661K
描述
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V，漏极电流额定值为10A–100

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IXFN82N60Q3 数据手册

Q3-Class

V_DSS= 600V

I_D25= 66A

R_DS(on) 75m

IXFN82N60Q3

HiperFET^TM

Power MOSFET

t_rr

 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

600

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

G = Gate

S = Source

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

240

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

I_A

E_AS

T_C= 25C

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

960

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C



International Standard Package

Low Intrinsic Gate Resistance

miniBLOC with Aluminum Nitride



V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

Isolation

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

I_ISOL1mA,

t = 1s



M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.



Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

600

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode



6.5



200 nA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls



I_DSS

50 A

3 mA



T_J= 125C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 41A, Note 1

75 m

DS100340A(1/20)

12 3 4 5 6 7

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