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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | PLASTIC, MINIBLOC-4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 8.48 | 其他特性： | UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 4000 mJ | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 66 A | 最大漏极电流 (ID)： | 66 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0075 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 960 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 240 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN90N30 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET |
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| IXFN90N85X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通 |
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| IXFN94N50P2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN94N50P2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFP05N100M | IXYS |
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High Voltage HiperFET |
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| IXFP05N100M | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFP102N15T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET HiperFET |
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| IXFP102N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFP10N60P | IXYS |
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Polar HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFP10N60P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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