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IXFN50N120SK

更新时间： 2024-11-21 20:42:31

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4页	137K
描述
Power Field-Effect Transistor

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IXFN50N120SK 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	8.29	Base Number Matches：	1

IXFN50N120SK 数据手册

IXFN50N120SK

I_D25

V_DSS

R_DS(on)ꢀmax

48 A

= 1200 V

50 mΩ

SiC Power MOSFET

KelvinꢀSourceꢀgateꢀconnectionꢀꢀ

Part number

IXFN50N120SK

Dꢀ(3)

Backside:ꢀisolatedꢀ

E153432

G (2)

KSꢀ(1)

S (4)

Features / Advantages:

Applications:

Package: SOT-227Bꢀ(minibloc)

•ꢀHighꢀspeedꢀswitching

ꢀ withꢀlowꢀcapacitances

•ꢀHighꢀblockingꢀvoltage

ꢀ withꢀlowꢀR_DS(on)

•ꢀEasyꢀtoꢀparallelꢀandꢀsimpleꢀtoꢀdrive

•ꢀResistantꢀtoꢀlatch-up

•ꢀSolarꢀinverters

•ꢀHighꢀvoltageꢀDC/DCꢀconverters

•ꢀMotorꢀdrives

•ꢀSwitchꢀmodeꢀpowerꢀsupplies

•ꢀUPS

•ꢀBatteryꢀchargers

•ꢀInductionꢀheating

•ꢀIsolationꢀVoltage:ꢀ3000ꢀV~

•ꢀIndustryꢀstandardꢀoutline

•ꢀRoHSꢀcompliant

•ꢀEpoxyꢀmeetsꢀULꢀ94V-0

•ꢀBaseꢀplateꢀwithꢀAluminiumꢀnitrideꢀꢀ

insolation

•ꢀRealꢀKelvinꢀsourceꢀconnection

•ꢀAdvancedꢀpowerꢀcycling

Terms & Conditions of usage

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀTheꢀuserꢀwillꢀhaveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀ

dataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀhisꢀapplication.Theꢀspeciﬁcationsꢀofꢀourꢀcomponentsꢀmayꢀnotꢀbeꢀconsideredꢀasꢀanꢀassuranceꢀofꢀcomponentꢀcharacteristics.Theꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀmustꢀbeꢀconsi-

dered.ꢀShouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspeciﬁcꢀapplicationꢀofꢀyourꢀproduct,ꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀofﬁce,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀourꢀproductꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀtheꢀsalesꢀofﬁce,ꢀwhichꢀisꢀresponsibleꢀforꢀyou.

Shouldꢀyouꢀintendꢀtoꢀuseꢀtheꢀproductꢀinꢀaviation,ꢀinꢀhealthꢀorꢀliveꢀendangeringꢀorꢀlifeꢀsupportꢀapplications,ꢀpleaseꢀnotify.ꢀForꢀanyꢀsuchꢀapplicationꢀweꢀurgentlyꢀrecommend

-ꢀtoꢀperformꢀjointꢀriskꢀandꢀqualityꢀassessments;

-ꢀtheꢀconclusionꢀofꢀqualityꢀagreements;

-ꢀtoꢀestablishꢀjointꢀmeasuresꢀofꢀanꢀongoingꢀproductꢀsurvey,ꢀandꢀthatꢀweꢀmayꢀmakeꢀdeliveryꢀdependentꢀonꢀtheꢀrealizationꢀofꢀanyꢀsuchꢀmeasures.

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

20160225

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN50N25	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN50N25	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN50N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN50N80Q2	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFN50N80Q2	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN520N075T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET
IXFN520N075T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFN52N100X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN52N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN52N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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