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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFN50N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFN50N80Q2 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFN50N80Q2 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFN520N075T2 | IXYS |
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TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET |
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| IXFN520N075T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFN52N100X | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFN52N90P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFN52N90P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFN55N120SK | LITTELFUSE |
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工业级单开关SiC MOSFET采用带有4个连接器的UL认证SOT227B封装，提供300 |
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| IXFN55N50 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |
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