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IXFN48N50U2

更新时间： 2024-11-17 22:45:23

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN48N50U2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	520 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	192 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	35
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN48N50U2 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_{D (cont)}

R_DS(on)

t_rr

500 V

44 A

48 A

0.12 W 35 ns

0.10 W 35 ns

IXFN44N50U2 IXFN44N50U3

Power MOSFETs

IXFN48N50U2 IXFN48N50U3 500 V

Buck & Boost Configurations for

PFC & Motor Control Circuits

Preliminary data

miniBLOC, SOT-227 B

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

44N50

48N50

T_C= 25°C,

pulse width limited by max. T_JM

44N50

48N50

176

192

Features

· Popular Buck & Boost circuit

topologies

· Internationalstandardpackage

miniBLOCSOT-227B

· Aluminium nitrideisolation

- highpowerdissipation

· Isolation voltage 3000 V~

· Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

· Rugged polysilicon gate cell structure

· Low drain-to-case capacitance

(<60 pF)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

Repetitive

dv/dt

I_S£ I , -di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ ^D1^M50°C, R_G= 2 W

V/ns

P_D

T_C= 25°C

520

600

V_RRM

I_FAVM

I_FRM

P_D

T_C= 70°C; rectangular, d = 0.5

tp <10 ms; pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

- reduced RFI

· Ultra-fast FRED diode with soft

reverse recovery

800

180

Applications

· Power factor controls and buck

regulators

· DC servo and robotic drives

· DC choppers

T_J

T_JM

T_stg

-40 ... +150

150

-40 ... +150

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

· Switch reluctance motor controls

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque(M4)

1.5/13 Nm/lb.in.

Advantages

· Easy to mount with 2 screws

· Space savings

Weight

· Tightly coupled FRED

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

96535B(7/00)

1 - 5

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IXFN50N25	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN50N25	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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