IXFN48N55

更新时间： 2024-11-04 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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IXFN48N55 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.68
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	550 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	48 A
最大漏极电流 (ID)：	48 A	最大漏源导通电阻：	0.11 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	600 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	192 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN48N55 数据手册

Advanced Technical Information

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

IXFN 48N55

V_DSS= 550 V

I_D2548 A

R_DS(on)= 110 mW

t_rr£ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

550

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

192

G = Gate

S = Source

D = Drain

E_AR

T_C= 25°C

E_AS

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

V/ns

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

Features

P_D

T_C= 25°C

600

• Internationalstandardpackage

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• Rugged polysilicon gate cell structure

T_J

1.6 mm (0.63 in) from case for 10 s

°C

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

• DC-DC converters

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

550

2.5

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

V_GH(th)

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

100 mA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

110 mW

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98711(03/24/00)

1 - 2

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