IXFN44N80P

更新时间： 2024-11-18 04:22:47

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFET

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IXFN44N80P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.25	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	3400 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	800 V	最大漏极电流 (ID)：	39 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN44N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFN 44N80P

V_DSS= 800

I_D25= 39

R_DS(on)≤ 190 mΩ

t_rr≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

100

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

D = Drain

G = Gate

S = Source

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

3.4

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 10 Ω

V/ns

Features

T_C= 25°C

694

• International standard package

• Encapsulating epoxy meets

UL 94 V-0, flammability classification

• miniBLOC with Aluminium nitride

isolation

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, 1 minute

I_ISOL< 1 mA, 10 seconds

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal torque

1.13/10 Nm/lb.in.

1.13/10 Nm/lb.in. • Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

• DC choppers

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 800 μA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= ± 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.0

± ±200

μA

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 125°C

1.5 mA

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_TD25, Note 1

190 mΩ

DS99503E(06/06)

12 3 4

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