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IXFN44N80Q3

更新时间： 2024-09-14 14:56:19

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力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
7页	660K
描述
Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和高能效的广泛器件。 Q3级系列的漏极-源极电压额定值为200V–1000V，漏极电流额定值为10A–100

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IXFN44N80Q3 数据手册

Q3-Class

V_DSS= 800V

I_D25= 37A

R_DS(on) 190m

IXFN44N80Q3

HiperFET^TM

Power MOSFET

t_rr

 300ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Rectifier

Avalanche Rated

miniBLOC

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

800

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

G = Gate

S = Source

D = Drain

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

130

I_A

E_AS

T_C= 25C

3.5

Either Source Terminal S can be used as

the Source Terminal or the Kelvin Source

(Gate Return) Terminal.

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

780

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

C

Features



International Standard Package

Low Intrinsic Gate Resistance

miniBLOC with Aluminum Nitride

Isolation

V_ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1minute

2500

3000

I_ISOL1mA,

t = 1s



Avalanche Rated

M_d

Mounting Torque for Base Plate

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)and Q_G

Weight

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

800

3.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V



6.5

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode



200 nA



Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

I_DSS

50 A



T_J= 125C

2.5 mA



R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 22A, Note 1

190 m

DS100360C(1/20)

12 3 4 5 6 7

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