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IXFN44N50

更新时间： 2024-11-07 14:56:19
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力特 - LITTELFUSE /
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5页 188K
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IXFN44N50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Not Recommended
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.32其他特性：AVALANCHE RATED
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A
最大漏极电流 (ID)：44 A最大漏源导通电阻：0.12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PUFM-X4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL功耗环境最大值：520 W
最大功率耗散 (Abs)：520 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：176 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：UNSPECIFIED端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFN44N50 数据手册

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HiPerFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS  
ID25  
RDS(on)  
IXFK / IXFN 44 N50  
IXFK / IXFN 48 N50  
500V 44 A 0.12 Ω  
500V 48 A 0.10 Ω  
trr ≤ 250 ns  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr  
TO-264 AA  
Symbol  
TestConditions  
MaximumRatings  
(IXFK)  
IXFK  
IXFN  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
500  
500  
500  
500  
V
V
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1 MΩ  
G
D
(TAB)  
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
±20  
±30  
V
V
S
VGSM  
ID25  
TC = 25°C  
44N50  
48N50  
44  
48  
44  
48  
A
A
miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)  
E153432  
IDM  
TC = 25°C,  
pulse width limited by TJM  
44N50  
48N50  
176  
192  
176  
192  
A
A
S
G
D
IAR  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
24  
30  
5
24  
30  
5
A
EAR  
mJ  
G
S
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
,
V/ns  
S
D
S
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
PD  
TC = 25°C  
500  
520  
W
TJ  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
300  
°C  
°C  
°C  
Either Source terminal at miniBLOC can be used  
as Main or Kelvin Source  
TJM  
Tstg  
Features  
TL  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
-
°C  
ꢀ
Internationalstandardpackages  
ꢀ
VISOL  
50/60 Hz, RMS  
ISOL ≤ 1 mA  
t = 1 min  
t = 1 s  
-
-
2500  
3000  
V~  
V~  
Molding epoxies meet UL94V-0  
flammabilityclassification  
I
ꢀ
SOT-227BminiBLOCwithaluminium  
nitrideisolation  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
Md  
Mountingtorque  
Terminalconnectiontorque  
0.9/6  
-
1.5/13 Nm/lb.in.  
1.5/13 Nm/lb.in.  
ꢀ
ꢀ
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Fast intrinsic rectifier  
Weight  
Symbol  
10  
30  
g
ꢀ
TestConditions  
CharacteristicValues  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Applications  
min. typ. max.  
ꢀ
DC-DC converters  
ꢀ
Synchronousrectification  
Battery chargers  
Switched-modeandresonant-mode  
VDSS  
VGS = 0 V, ID = 1 mA  
VDS = VGS, ID = 8 mA  
500  
2
V
V
ꢀ
VGS(th)  
4
ꢀ
IGSS  
IDSS  
VGS = ±20 VDC, VDS = 0  
±200 nA  
400 µA  
powersupplies  
DC choppers  
Temperatureandlightingcontrols  
ꢀ
VDS = 0.8 • VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
ꢀ
2
mA  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 • ID25  
44N50  
48N50  
0.12  
0.10  
Ω
Ω
Advantages  
ꢀ
Easy to mount  
ꢀ
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
Space savings  
ꢀ
High power density  
93001I (07/00)  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
© 2000 IXYS All rights reserved  
C1 - 184  
12345

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