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IXFN39N90

更新时间： 2024-11-04 22:13:47

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4页	126K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Single MOSFET Die

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IXFN39N90 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.81	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	39 A	最大漏极电流 (ID)：	39 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	700 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	154 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Nickel (Ni)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFN39N90 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Single MOSFET Die

N-ChannelEnhancementMode

V_DSS= 900 V

I_D2539 A

R_DS(on)= 0.22 Ω

IXFN 39N90

t ≤ 250 ns

AvalancheRated, Highdv/dt, Lowt_rr

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

900

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

154

E_AR

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

E_AS

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

700

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• Internationalstandardpackages

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

• Lowpackageinductance

• FastintrinsicRectifier

Weight

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

min. typ. max.

V_DSS

BV_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

Temperature dependence

900

2.5

V/K

3.68

V_GH(th)

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

Temperature dependence

5.0

V/K

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

-0.009

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

100 µA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs,

duty cycle d ≤ 2 %

0.22

Ω

98628B (9/01)

12 3 4

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IXFN39N90 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN26N90	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN25N90	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN27N80Q	IXYS	功能相似	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

与IXFN39N90相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN39N90V	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN400N15X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN400N15X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFN40N110P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN40N110P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN40N110Q3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFN40N110Q3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFN40N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFN40N90P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFN40N90P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:

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