IXFN44N100P

更新时间： 2024-11-06 11:14:03

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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4页	108K
描述
Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFN44N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	7.52
Is Samacsys：	N	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	37 A	最大漏极电流 (ID)：	37 A
最大漏源导通电阻：	0.22 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	890 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	110 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Nickel (Ni)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFN44N100P 数据手册

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

V_DSS= 1000V

I_D25= 37A

R_DS(on)≤ 220mΩ

≤ 300ns

IXFN44N100P

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

t_rr

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D = Drain

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

110

G = Gate

S = Source

I_AR

T_C= 25°C

E_AS

Either Source terminal S can be used as the

Source terminal or the Kelvin Source (gate

return) terminal.

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

890

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

^zInternational standard package

^zEncapsulating epoxy meets

UL94V-0, flammability classification

^zminiBLOC with Aluminium nitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

^zFast recovery diode

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

t = 1min

2500

3000

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

I_ISOL≤ 1mA

t = 1s

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Weight

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ. Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

1000

3.5

Applications

6.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

± 200 nA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

3 mA

T_J= 125°C

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 22A, Note 1

220 mΩ

DS99879A(4/08)

12 3 4

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IXFN44N50	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
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IXFN44N50QD3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 500V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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IXFN44N60	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET

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