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IXFE36N100

更新时间： 2024-11-18 11:13:59

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2页	430K
描述
HiPerFET-TM Power MOSFET

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IXFE36N100 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	33 A	最大漏极电流 (ID)：	33 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	580 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	144 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFE36N100 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFE 36N100 1000 V 33 A

IXFE 34N100 1000 V 30 A

t_rr≤ 250 ns

0.24 Ω

Power MOSFET

0.28 Ω

Single MOSFET Die

Preliminary data sheet

ISOPLUS227^TM(IXFE)

Maximum Ratings

Symbol TestConditions

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1000

T^J_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

36N100

34N100

36N100

34N100

T_C= 25°C; Note 1

T_C= 25°C

144

136

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AR

E_AS

= 25°C

T^C_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

asMainorKelvinSource

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

P_D

T_C= 25°C

580

•Conforms to SOT-227B outline

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Ruggedpolysilicongatecellstructure

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

•UnclampedInductiveSwitching(UIS)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

300

°C

rated

•Lowpackageinductance

•FastintrinsicRectifier

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Terminal connection torque

Applications

Weight

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

1000

3.0

Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 3mA

V_DS= V_GS, I_D= 8mA

V_GS= 20V, V_GS= 0V

5.0

200 nA

Advantages

• Low cost

I_DSS

= V

T = 25°C

100 µA

V_G^DS_S= 0^DV^SS

T_J^J= 125°C

2 mA

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

= 10V, I_D= I_T

36N100

34N100

0.24

0.28

Ω

N^Go^Ste 2

98897 (1/02)

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