IXFF24N100

更新时间： 2024-09-24 21:55:35

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
HiPerFETTM Power Mosfet in High Voltage ISOPLUS I4-PACTM

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IXFF24N100 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	ISOPLUS, I4PAC-5	针数：	5
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH VOLTAGE, HIGH RELIABILITY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	1000 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	22 A
最大漏极电流 (ID)：	22 A	最大漏源导通电阻：	0.39 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	120 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFF24N100 数据手册

AdvancedTechnicalInformation

HiPerFET^TM

IXFF 24N100

I_D25= 22 A

V_DSS= 1000 V

R_DSon= 390 mW

Power Mosfet

in High Voltage ISOPLUS I4-PAC^TM

Features

MOSFETs

• HiPerFET^TMtechnology

- low R_DSon

- low gate charge for high frequency

operation

- unclamped inductive switching (UIS)

capability

- dv/dt ruggedness

Symbol

V_DSS

Conditions

MaximumRatings

T_VJ= 25°C to 150°C

1000

±20

V_GS

I_D25

I_D90

T_C= 25°C

T_C= 90°C

- fast intrinsic reverse diode

• ISOPLUS I4-PAC^TM

highvoltagepackage

- isolated back surface

- enlarged creepage towards heatsink

-enlargedcreepagebetweenhigh

voltage pins

I_F25

I_F90

(diode) T_C= 25°C

(diode) T_C= 90°C

120

dv/dt

V_DS< V_DSS; I_F£ 100A;ôdi_F/dtô£ 100A/µs; R_G= 2 W

T_VJ= 150°C

V/ns

E_AR

T_C= 25°C

-applicationfriendlypinout

-highreliability

- industry standard outline

Symbol

Conditions

CharacteristicValues

(T_VJ= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ. max.

Applications

R_DSon

V_GSth

I_DSS

V_GS= 10 V;I_D= I_D90

390 mW

• switched mode power supplies

• DC-DC converters

• resonant converters

V_DS= 20 V;I_D= 8 mA;

2.5

V_DS= V_DSS;V_GS= 0 V; T_VJ= 25°C

T_VJ= 125°C

0.1 mA

0.25

I_GSS

V_GS= ±20 V; V_DS= 0 V

200 nA

Q_g

Q_gs

Q_gd

250

135

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_F

(diode) I_F= 12 A;V_GS= 0 V

1.5

t_rr

(diode) I_F= 24 A;-di/dt = 100 A/µs; V_DS= 100 V

250

R_thJC

0.32 K/W

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

022

1 - 2

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IXFF24N100 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT10045LFLLG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10035LLLG	MICROSEMI	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10035LFLLG	MICROSEMI	功能相似	Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

与IXFF24N100相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFF24N100_06	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET
IXFG55N50	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs ISOPLUS247
IXFH100N25P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH100N25P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH100N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH100N30X3	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET HiperFET
IXFH102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH10N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH10N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:

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