Datasheet > IXFH10N80P

IXFH10N80P

更新时间： 2024-11-06 14:56:23

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
7页	374K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH10N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	600 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH10N80P 数据手册

Polar^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFA10N80P

IXFP10N80P

IXFQ10N80P

IXFH10N80P

V_DSS= 800V

I_D25= 10A

R_DS(on) 1.1

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

t_rr

 250ns

Fast Intrinsic Diode

TO-263 (IXFA)

TO-220 (IXFP)

TO-3P (IXFQ)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

800

TO-247 (IXFH)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

D (Tab)

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

I_A

T_C= 25C

Tab = Drain

E_AS

600

dV/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150C

T_C= 25C

V/ns

300

Features

T_J

-55 ... +150

150

C

^International Standard Packages

^Avalanche Rated

^Low Package Inductance

^Easy to Drive and to Protect

T_JM

T_stg

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

F_C

Mounting Force (TO-263)

10..65 / 2.2..14.6

N/lb

M_d

Mounting Torque (TO-220, TO-247 & TO-3P)

1.13 / 10

Nm/lb.in



Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0



TO-247

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^Switched-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min.

800

3.0

Typ.

Max.

^DC-DC Converters

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA

V_GS=  30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

^Laser Drivers

^AC and DC Motor Drives

^Robotics and Servo Controls

5.5

          100 nA

I_DSS

25 A

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

500A

R_DS(on)

1.1



DS99432G(6/18)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXFH10N80P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH10N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH110N10P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH110N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH110N15T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFH110N15T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFH110N25T	IXYS	获取价格	TrenchHV Power MOSFET HiPerFET
IXFH110N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH11N100	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH11N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH11N60	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与IXFH10N80P相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH10N80P

IXFH10N80P 技术参数

IXFH10N80P 数据手册

与IXFH10N80P相关器件

与IXFH10N80P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFH10N80P

IXFH10N80P 技术参数

IXFH10N80P 数据手册

与IXFH10N80P相关器件

与IXFH10N80P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？