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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 雪崩能效等级（Eas）： | 3000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 48 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.09 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 220 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH100N25P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH100N25P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH100N30X3 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH100N30X3 | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFH102N15T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET HiperFET |
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| IXFH102N15T | LITTELFUSE |
获取价格 |
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFH10N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH10N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFH10N100P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH10N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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