Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> APT10035LLLG

APT10035LLLG

更新时间： 2024-11-21 13:05:35

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
5页	86K
描述
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 1000V, 0.35ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, ROHS COMPLIANT, TO-264, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT10035LLLG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-264AA	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.1
雪崩能效等级（Eas）：	3000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	28 A	最大漏极电流 (ID)：	28 A
最大漏源导通电阻：	0.35 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	690 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	112 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

APT10035LLLG 数据手册

APT10035B2FLL(G)

APT10035LFLL(G)

1000V 28A 0.37 Ω

B2FLL

POWER MOS 7 FREDFET

Power MOS 7^®is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching

losses are addressed with Power MOS 7^®by significantly lowering R_DS(ON)

and Q_g. Power MOS 7^®combines lower conduction and switching losses

along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's

patented metal gate structure.

T-MAX™

TO-264

LFLL

• Lower Input Capacitance

• Lower Miller Capacitance

• Lower Gate Charge, Qg

• Increased Power Dissipation

• Easier To Drive

• Popular T-MAX™ or TO-264 Package

•

FAST RECOVERY BODY DIODE

MAXIMUM RATINGS

Symbol Parameter

All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.

APT10035

1000

UNIT

V_DSS

I_D

Drain-Source Voltage

Volts

Continuous Drain Current @ T_C= 25°C

Amps

Volts

I_DM

Pulsed Drain Current

112

V_GS

V_GSM

Gate-Source Voltage Continuous

Gate-Source Voltage Transient

±30

±40

Total Power Dissipation @ T_C= 25°C

Linear Derating Factor

690

Watts

W/°C

P_D

5.5

T_J,T_STG

T_L

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

°C

Amps

Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.

I_AR

Avalanche Current

(Repetitive and Non-Repetitive)

E_AR

E_AS

Repetitive Avalanche Energy

Single Pulse Avalanche Energy

3000

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

1000

TYP

MAX

UNIT

BV_DSS

I_D(on)

Drain-Source Breakdown Voltage (V_GS= 0V, I_D= 250µA)

Volts

On State Drain Current

(V_DS> I_D(on)x R_DS(on)Max, V_GS= 10V)

Amps

R_DS(on)

Drain-Source On-State Resistance

(V_GS= 10V, 14A)

Ohms

µA

0.37

250

1000

±100

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 1000V, V_GS= 0V)

Zero Gate Voltage Drain Current (V_DS= 800V, V_GS= 0V, T_C= 125°C)

Gate-Source Leakage Current (V_GS= ±30V, V_DS= 0V)

Gate Threshold Voltage (V_DS= V_GS, I_D= 2.5mA)

I_DSS

I_GSS

V_GS(th)

Volts

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

APT10035LLLG 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
APT10045LFLLG	MICROSEMI	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 1000V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
APT10035LFLLG	MICROSEMI	类似代替	Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

与APT10035LLLG相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT1003R5AN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-3
APT1003R5BN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| TO-247AD
APT1003R5CN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4A I(D) \| TO-254AA
APT1003R5DN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 4.5A I(D) \| CHIP
APT1003R5GN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 3A I(D) \| TO-220HERM
APT1003RBFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT1003RBLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 MOSFET
APT1003RBLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
APT1003RKFLL	ADPOW	获取价格	POWER MOS 7 FREDFET
APT1003RKFLLG	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-

与APT10035LLLG相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

30
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

22
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

51
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

49

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT10035LLLG

APT10035LLLG 技术参数

APT10035LLLG 数据手册

APT10035LLLG 替代型号

与APT10035LLLG相关器件

与APT10035LLLG相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT10035LLLG

APT10035LLLG 技术参数

APT10035LLLG 数据手册

APT10035LLLG 替代型号

与APT10035LLLG相关器件

与APT10035LLLG相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？