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APT1003R5DN

更新时间: 2024-02-09 20:53:26
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 4.5A I(D) | CHIP

APT1003R5DN 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):3 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

APT1003R5DN 数据手册

  
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