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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 425 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 135 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 16 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT1003RKLLG | MICROSEMI |
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Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel |
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| APT1003RSFLL | ADPOW |
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POWER MOS 7 FREDFET |
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| APT1003RSLL | ADPOW |
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POWER MOS 7 MOSFET |
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| APT1003RSLLG | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| APT1004 | ADPOW |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS |
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| APT10040B2VFR | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10040B2VFR_02 | ADPOW |
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Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs. |
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| APT10040B2VFRG | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT10040B2VR | MICROSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1000V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| APT10040B2VR | ADPOW |
获取价格 |
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs |
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