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APT1003RKFLLG

更新时间： 2024-11-25 21:11:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 96K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1000V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN

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APT1003RKFLLG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.27
雪崩能效等级（Eas）：425 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：1000 V
最大漏极电流 (ID)：4 A最大漏源导通电阻：3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：16 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT1003RKFLLG 数据手册

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APT1003RKFLL  
1000V 4A 3.00Ω  
R
POWER MOS 7 FREDFET  
TO-220  
Power MOS 7® is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel  
enhancement mode power MOSFETS. Both conduction and switching  
losses are addressed with Power MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)  
and Qg. Power MOS 7® combines lower conduction and switching losses  
along with exceptionally fast switching speeds inherent with APT's  
patented metal gate structure.  
G
D
S
• Lower Input Capacitance  
• Lower Miller Capacitance  
• Lower Gate Charge, Qg  
• Increased Power Dissipation  
• Easier To Drive  
D
S
G
• TO-220 Package  
•
FAST RECOVERY BODY DIODE  
MAXIMUM RATINGS  
Symbol Parameter  
All Ratings: T = 25°C unless otherwise specified.  
C
APT1003RKFLL  
UNIT  
VDSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
1000  
4
Volts  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
Amps  
Volts  
1
IDM  
Pulsed Drain Current  
16  
VGS  
VGSM  
Gate-Source Voltage Continuous  
Gate-Source Voltage Transient  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
Linear Derating Factor  
±30  
±40  
139  
1.11  
-55 to 150  
300  
4
Watts  
W/°C  
PD  
TJ,TSTG  
TL  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
°C  
Amps  
mJ  
Lead Temperature: 0.063" from Case for 10 Sec.  
1
IAR  
Avalanche Current  
(Repetitive and Non-Repetitive)  
1
EAR  
EAS  
Repetitive Avalanche Energy  
Single Pulse Avalanche Energy  
10  
4
425  
STATICELECTRICALCHARACTERISTICS  
Symbol Characteristic / Test Conditions  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
Volts  
Ohms  
BVDSS  
RDS(on)  
Drain-Source Breakdown Voltage (VGS = 0V, ID = 250µA)  
1000  
2
Drain-Source On-State Resistance  
(VGS = 10V, 2A)  
3.00  
250  
1000  
±100  
5
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 1000V, VGS = 0V)  
Zero Gate Voltage Drain Current (VDS = 800V, VGS = 0V, TC = 125°C)  
Gate-Source Leakage Current (VGS = ±30V, VDS = 0V)  
Gate Threshold Voltage (VDS = VGS, ID = 1mA)  
IDSS  
µA  
IGSS  
nA  
VGS(th)  
Volts  
3
CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.  
APT Website - http://www.advancedpower.com  
12345

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APT1003RKFLLG 替代型号

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