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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFH10N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs |
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| IXFH10N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH10N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH10N90 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFH110N10P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH110N10P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFH110N15T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFH110N15T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFH110N25T | IXYS |
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TrenchHV Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFH110N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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