是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | TO-247AD |
包装说明: | TO-247AD, 3 PIN | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.44 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 1000 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | 最大漏极电流 (ID): | 10 A |
最大漏源导通电阻: | 1.2 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-247AD | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 300 W |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH10N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFH10N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH10N100Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class | |
IXFH10N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH10N60 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFH10N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH10N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH10N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH10N90 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH110N10P | IXYS |
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PolarHT HiPerFET Power MOSFET |