IXFH10N100P

更新时间： 2024-11-18 12:20:15

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Polar Power MOSFET HiPerFET

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IXFH10N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.25	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	380 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFH10N100P 数据手册

Preliminary Technical Information

Polar^TMPower MOSFET

HiPerFET^TM

IXFH10N100P

IXFV10N100P

IXFV10N100PS

V_DSS= 1000V

I_D25= 10A

R_DS(on)≤ 1.4Ω

≤ 300ns

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

PLUS220 (IXFV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

1000

D (TAB)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

Continuous

1000

± 30

± 40

PLUS220SMD (IXFV_S)

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

D (TAB)

TO-247 (IXFH)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

380

V/ns

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

°C

D (TAB)

T_stg

T_L

-55 ... +150

°C

Maximum lead temperature for soldering

Plastic body for 10s

300

260

°C

G = Gate

= Drain

S = Source TAB = Drain

T_SOLD

M_d

°C

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Features

F_C

11..65/2.5..14.6

^zInternational standard packages

^zFast recovery diode

Weight

TO-247

PLUS 220 types

^zAvalanche rated

^zLow package inductance

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

Applications:

6.5

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

±100 nA

^zDC-DC Converters

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

25 μA

1.25 mA

^zLaser Drivers

T_J= 125°C

^zAC and DC motor drives

^zRobotics and servo controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.4

DS99922(09/08)

12 3 4

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IXFH10N100P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH10N100D	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTH10N100D2	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1000V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH10N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFH10N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH10N60	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH10N65	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH10N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH10N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH10N90	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH110N10P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFH110N10P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
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