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IXFH120N15P

更新时间： 2025-07-19 11:57:11

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描述
PolarHT HiPerFET Power MOSFET

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IXFH120N15P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.27	其他特性：	AVALANCHE ENERGY RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	150 V
最大漏极电流 (ID)：	120 A	最大漏源导通电阻：	0.016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	260 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH120N15P 数据手册

PolarHT^TMHiPerFET

Power MOSFET

IXFH 120N15P

IXFT 120N15P

V_DSS= 150 V

I_D25= 120 A

R_DS(on)≤ 16 mΩ

t_rr

≤ 200 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

Fast Intrinsic Diode

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

150

V_DSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

T_C=25° C

120

I_L(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

260

TO-268 (IXFT)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

2.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

600

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic case for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Weight

TO-247

TO-268

6.0

5.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

150

Easy to mount

Space savings

High power density

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

16 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99210E(12/05)

12 3 4 5

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