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IXFH120N25T

更新时间： 2024-01-03 08:32:27

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	181K
描述
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 250V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IXFH120N25T 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	PLASTIC, TO-247, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.46	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	120 A	最大漏极电流 (ID)：	120 A
最大漏源导通电阻：	0.023 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	890 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFH120N25T 数据手册

Preliminary Technical Information

Trench^TMHiperFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS= 250V

I_D25= 120A

R_DS(on)≤ 23mΩ

IXFT120N25T

IXFH120N25T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

250

V_DGR

TO-247 (IXFH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

120

300

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

G = Gate

S = Source

= Drain

P_D

T_C= 25°C

890

Tab = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

V/ns

T_J

-55 to +150

+150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 to +150

T_L

1.6mm (0.063in) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

International Standard Packages

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

Fast Intrinsic Rectifier

Low R_DS(on)

T_SOLD

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

250

3.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

Applications

±200 nA

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

I_DSS

25 μA

T_J= 125°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.5 mA

R_DS(on)

23 mΩ

Power Supplies

DC Choppers

AC Motor Drives

Uninterruptible Power Supplies

High Speed Power Switching

Applications

DS100384A(11/11)

12 3 4 5 6

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IXFH120N25T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH110N25T	IXYS	类似代替	TrenchTM Power MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXFX120N25P	IXYS	类似代替	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH110N25T	IXYS	类似代替	TrenchHV Power MOSFET HiPerFET

与IXFH120N25T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH120N25X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH120N30X3	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFH12N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH12N100F	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFH12N100F_03	IXYS	获取价格	HiPerRF Power MOSFETs
IXFH12N100P	IXYS	获取价格	Polar HiPerFET Power MOSFETs
IXFH12N100P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFH12N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFH12N100Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH12N100QS	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1000V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

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