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IXFH120N25X3

更新时间： 2024-02-08 18:25:59
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6页 275K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXFH120N25X3 技术参数

生命周期：TransferredReach Compliance Code：unknown
风险等级：8.29Base Number Matches：1

IXFH120N25X3 数据手册

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Preliminary Technical Information  
X3-Class HiPerFETTM  
Power MOSFET  
VDSS = 250V  
ID25 = 120A  
RDS(on) 12m  
IXFT120N25X3HV  
IXFQ120N25X3  
IXFH120N25X3  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268HV (IXFT)  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXFQ)  
TJ = 25C to 150C  
250  
250  
V
V
VDGR  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
G
D
S
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
120  
230  
A
A
D (Tab)  
TO-247 (IXFH)  
IA  
TC = 25C  
TC = 25C  
60  
A
J
EAS  
1.2  
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150°C  
TC = 25C  
20  
V/ns  
W
480  
G
D
S
TJ  
-55 ... +150  
150  
C  
C  
C  
D (Tab)  
D = Drain  
TJM  
Tstg  
G = Gate  
S = Source  
-55 ... +150  
Tab = Drain  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-247 & TO-3P)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in  
Weight  
TO-268HV  
TO-3P  
TO-247  
4.0  
5.5  
6.0  
g
g
g
International Standard Packages  
Low RDS(ON) and QG  
Avalanche Rated  
Low Package Inductance  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
High Power Density  
Easy to Mount  
Space Savings  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
250  
V
V
2.5  
4.5  
100 nA  
Applications  
IDSS  
10 A  
500 A  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
DC-DC Converters  
PFC Circuits  
AC and DC Motor Drives  
Robotics and Servo Controls  
TJ = 125C  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
10  
12 m  
DS100837C(11/17)  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved.  
123456

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