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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IXFH12N100F
IXFH12N100F PDF预览

IXFH12N100F

更新时间： 2024-02-22 16:51:27
品牌 Logo 应用领域
IXYS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 101K
描述
HiPerRF Power MOSFETs

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IXFH12N100F 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-G2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.68
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：12 A
最大漏源导通电阻：1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：48 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IXFH12N100F 数据手册

 浏览型号IXFH12N100F的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
HiPerRFTM  
Power MOSFETs  
F-Class: MegaHertz Switching  
IXFH12N100F VDSS  
IXFT 12N100F ID25  
= 1000 V  
12 A  
=
RDS(on) = 1.05 Ω  
t ≤ 250 ns  
rr  
N-ChannelEnhancementMode  
Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg  
High dV/dt, Low trr  
TO-247AD(IXFH)  
Symbol  
TestConditions  
Maximum Ratings  
(TAB)  
VDSS  
VDGR  
T
T
= 25°C to 150°C  
= 25°C to 150°C; R = 1 MΩ  
1000  
1000  
V
V
J
J
GS  
VGS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-268 (IXFT) Case Style  
ID25  
IDM  
IAR  
T
= 25°C  
12  
48  
12  
A
A
A
C
T
= 25°C, pulse width limited by T  
= 25°C  
C
JM  
T
C
G
(TAB)  
S
EAR  
EAS  
T
= 25°C  
= 25°C  
30  
1.0  
mJ  
J
C
T
C
G = Gate,  
S = Source,  
D = Drain,  
TAB = Drain  
dv/dt  
I
T
≤ I , di/dt ≤ 100 A/µs, V ≤ V  
5
V/ns  
S
DM  
DD  
DSS  
≤ 150°C, R = 2 Ω  
J
G
PD  
TJ  
T
= 25°C  
300  
W
C
Features  
l
-55 ... +150  
°C  
RF capable MOSFETs  
l
Double metal process for low gate  
resistance  
Ruggedpolysilicongatecellstructure  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
l
l
TL  
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s  
300  
°C  
Md  
Mountingtorque  
TO-247  
1.13/10 Nm/lb.in.  
l
l
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic rectifier  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
Applications  
l
DC-DC converters  
Symbol  
VDSS  
TestConditions  
Characteristic Values  
(T = 25°C, unless otherwise specified)  
l
Switched-mode and resonant-mode  
power supplies, >500kHz switching  
J
min. typ. max.  
l
DC choppers  
VGS = 0 V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
1000  
3.0  
V
l
13.5 MHz industrial applications  
l
VGS(th)  
IGSS  
5.5 V  
Pulse generation  
l
Laser drivers  
V
= ±20 V, V = 0  
±100 nA  
GS  
DS  
l
RF amplifiers  
IDSS  
V
= V  
= 0 V  
50 µA  
1.5 mA  
DS  
DSS  
Advantages  
l
Space savings  
V
T
= 125°C  
GS  
J
l
RDS(on)  
V
Note 1  
= 10 V, I = 0.5 I  
1.05  
Ω
GS  
D
D25  
High power density  
98856 (8/01)  
© 2001 IXYS All rights reserved  
12

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