Datasheet > IXFH100N30X3

IXFH100N30X3

更新时间： 2024-11-18 21:19:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	259K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFH100N30X3 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	8.35	Base Number Matches：	1

IXFH100N30X3 数据手册

Advance Technical Information

X3-Class HiPerFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 300V

I_D25= 100A

R_DS(on) 13.5m

IXFT100N30X3HV

IXFH100N30X3

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268HV (IXFT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 150C

300

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-247 (IXFH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_DM

T_C= 25C

100

200

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25C

D (Tab)

D = Drain

E_AS

1.5

G = Gate

S = Source

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

Tab = Drain

480

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G



M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Avalanche Rated

Weight

TO-268HV

TO-247

Low Package Inductance

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

300

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS

10 A

750 A



T_J= 125C



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

10.6

13.5 m

DS100862A(11/17)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFH100N30X3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFH102N15T	IXYS	获取价格	Trench Gate Power MOSFET HiperFET
IXFH102N15T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFH10N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs
IXFH10N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFH10N100P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFH10N100P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFH10N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class
IXFH10N60	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFH10N60	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFH10N65	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs