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力特 - LITTELFUSE | 栅 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 234K | |
描述 | ||
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围(从-40 °C到175 °C),这些产品非常适合汽车应用以及其他处 |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.47 | JESD-609代码: | e1 |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFH10N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs | |
IXFH10N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFH10N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFH10N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFH10N100Q | IXYS |
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HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class | |
IXFH10N60 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH10N60 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXFH10N65 | IXYS |
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HIPERFET Power MOSFTETs | |
IXFH10N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET | |
IXFH10N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |