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IXFH10N100

更新时间： 2024-03-03 10:10:35

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力特 - LITTELFUSE		/
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5页	1156K
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IXFH10N100 数据手册

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V_DSS

I_D25R_DS(on)

HiPerFET^TM

IXFH/IXFM10 N100 1000 V 10 A 1.20 Ω

Power MOSFETs

IXFH/IXFM12 N100 1000 V 12 A 1.05 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

Obsolete:

t_rr≤ 250 ns

IXFM10N100

IXFM12N100

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

T

= 25°C to 150°C

1000

1000

V

V

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

20

30

V

V

(TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N100

12N100

10N100

12N100

10N100

12N100

10

12

40

48

10

12

A

A

A

A

A

A

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-204AA(IXFM)

Package not

available

E_AR

T_C= 25°C

30

5

mJ

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

,

V/ns

G

D

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

W

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

-55 ... +150

°C

T_JM

150

°C

°C

T_stg

-55 ... +150

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

z

International standard packages

z

z

z

Low R

HDMOS^TMprocess

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

z

z

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

z

DC-DC converters

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

z

Synchronous rectification

min. typ. max.

z

Battery chargers

z

Switched-mode and resonant-mode

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

1000

2.0

V

V

power supplies

4.5

z

DC choppers

z

AC motor control

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100 nA

z

Temperature and lighting controls

z

Low voltage relays

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

250 µA

1

mA

Advantages

z

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N100

12N100

1.20

1.05

Ω

Ω

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

z

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Space savings

z

High power density

© 2004 IXYS All rights reserved

DS91531F(01/04)

12 3 4 5

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与IXFH10N100相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFH10N100P	IXYS	Polar Power MOSFET HiPerFET	获取价格
IXFH10N100P	LITTELFUSE	功能与特色: 优点: 应用:	获取价格
IXFH10N100Q	IXYS	HiPerFETTM Power MOSFETs Q Class	获取价格
IXFH10N60	IXYS	HIPERFET Power MOSFTETs	获取价格
IXFH10N60	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格
IXFH10N65	IXYS	HIPERFET Power MOSFTETs	获取价格

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