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IXFE73N30Q

更新时间： 2024-09-25 11:13:59

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描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

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IXFE73N30Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.83
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	66 A
最大漏极电流 (ID)：	66 A	最大漏源导通电阻：	0.046 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PUFM-X4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	292 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFE73N30Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFE 73N30Q

V_DSS= 300 V

I_D25= 66 A

R_DS(on)= 46 mΩ

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, Low Q_g, High dv/dt

Preliminary data sheet

ISOPLUS227^TM(IXFE)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

300

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

292

T_C= 25°C, Note1

T_C= 25°C

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

asMainorKelvinSource

2.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

Features

•Conforms to SOT-227B outline

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Ruggedpolysilicongatecellstructure

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

-55 to +150

150

°C

T_JM

T_stg

V_ISOL

•UnclampedInductiveSwitching(UIS)

-55 to +150

rated

50/60 Hz, RMS t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

•Lowpackageinductance

•FastintrinsicRectifier

I_ISOL≤ 1 mA

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13

Nm/lb.in.

Applications

Weight

• DC-DC converters

• Batterychargers

• Switched-modeandresonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

300

2.0

V_GS(th)

4.0

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100

• Low cost

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100

µA

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= I_T

Note1

46 m Ω

98899 (1/02)

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