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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 932K | |
描述 | ||
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能(Tc=@25oC)。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择,这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。 |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 2.1 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXFN36N100 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET | |
IXFN36N100 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN36N110P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN36N60 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET | |
IXFN36N60 | LITTELFUSE |
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功能与特色: 应用: 优点: | |
IXFN38N100P | IXYS |
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Polar Power MOSFET HiPerFET | |
IXFN38N100P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: | |
IXFN38N100Q2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXFN38N100Q2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr | |
IXFN38N100Q2_08 | IXYS |
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HiPerFET Power MOSFET |