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IXFN340N07

更新时间： 2024-11-08 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFN340N07 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.25
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

IXFN340N07 数据手册

HiPerFET^TM

IXFN 340N07

V_DSS= 70 V

Power MOSFETs

Single Die MOSFET

I_D25

R_DS(on)

= 340 A

4 mΩ

≤ 200 ns

t_rr

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, Highdv/dt, Lowt_rr

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

miniBLOC,SOT-227B(IXFN)

E153432

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25°C, Chip capability

Terminal current limit

340

100

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

1360

200

I_AR

G = Gate

D = Drain

S = Source

E_AR

T_C= 25°C

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

E_AS

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

700

Features

T_J

-55 ... +150

150

°C

• International standard package

• miniBLOC, withAluminiumnitride

isolation

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Ruggedpolysilicongatecellstructure

• UnclampedInductiveSwitching(UIS)

rated

• Lowpackageinductance

• Fast intrinsic Rectifier

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL≤ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

M_d

Mounting torque

Terminal connection torque

1.5/13 Nm/lb.in.

Weight

Applications

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

• DC-DC converters

• Batterychargers

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• Switched-modeandresonant-mode

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

power supplies

V_GH(th)

2.0

4.0

• DC choppers

• Temperature and lighting controls

• Linear current regulators

I_GSS

I_DSS

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200 nA

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

100 μA

Advantages

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 100A

Pulse test, t ≤^D300 μs,

duty cycle d ≤ 2 %

mΩ

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

DS98547D(05/04)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN340N07_04	IXYS	获取价格	HiPerFET⑩ Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N100	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN34N80	IXYS	获取价格	HiPerFETTM Power MOSFETs Single DieMOSFET
IXFN34N80	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN35N50	IXYS	获取价格	HIPERFET Power MOSFTETs
IXFN35N50	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXFN360N10T	IXYS	获取价格	GigaMOS Trench HiperFET Power MOSFET
IXFN360N10T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN360N15T2	IXYS	获取价格	GigaMOSTrenchT2 HiperFET Power MOSFET
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