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IXFN180N07

更新时间： 2024-11-04 21:53:51

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描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFN180N07 数据手册

HiPerFET^TM

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFN 200 N06

IXFN 180 N07

IXFN 200 N07

60 V

70 V

200 A 6 mW

180 A 7 mW

200 A 6 mW

Power MOSFETs

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated, High dv/dt, Low t_rr

t_rr£ 250 ns

Symbol

V_DSS

TestConditions

MaximumRatings

miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)

E153432

T_J= 25°C to 150°C

N07

N06

N07

N06

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C; Chip capability

200N06/200N07

180N07

200

180

100

I_L(RMS)

Terminalcurrentlimit

G = Gate

D = Drain

S = Source

Either Source terminal at miniBLOC can be used

as Main or Kelvin Source

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

600

100

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

Features

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

• Internationalstandardpackages

• miniBLOCwithAluminiumnitride

isolation

P_D

T_C= 25°C

520

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

V_ISOL

50/60 Hz, RMS

I_ISOL£ 1 mA

t = 1 min

t = 1 s

2500

3000

• Low package inductance

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

Mountingtorque

Terminalconnectiontorque

1.5/13Nm/lb.in.

Applications

Weight

• DC-DC converters

• Synchronousrectification

• Battery chargers

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC choppers

• Temperatureandlightingcontrols

• Low voltage relays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 1 mA

N06

N07

V_{GS (th)}

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= 8 mA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= 0.8 • V_DSS

±200 nA

400 mA

Advantages

I_DSS

T_J= 25°C

V_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

T_J= 125°C

• Easy to mount

• Space savings

• High power density

R_DS(on)

200N06/200N07

180N07

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

97533A(9/99)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFN340N06	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN200N07	IXYS	类似代替	HiPerFET Power MOSFETs

与IXFN180N07相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFN180N10	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFET Single MOSFET Die
IXFN180N10	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN180N15P	IXYS	获取价格	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXFN180N15P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFN180N20	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Single Die MOSFET
IXFN180N20	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFN180N25T	IXYS	获取价格	GigaMOS Power MOSFET
IXFN180N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFN185N10	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 100V V(BR)DSS \| 185A I(D)
IXFN200N06	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs

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